半导体材料的电阻计算公式
阻抗计算公式？
阻抗计算公式？
阻抗公式
阻抗公式z r j ( xl–xc)
负载是电阻、电感的感抗、 电容的容抗三种类型的复物，复合后统称“阻抗”，写成数学公式即是：阻抗z r j ( xl –xc) 。其中r为电阻，xl为感抗，xc为容抗。如果( xl–xc) gt 0，称为“感性负载”；反之，如果( xl –xc) lt 0称为“容性负载”。
扩展资料：阻抗是表示元件性能或一段电路电性能的物理量。交流电路中一段无源电路两端电压峰值(或有效值)Um与通过该电路电流峰值(或有效值)Im之比称为阻抗，用z表示，单位为欧姆(Ω)。在U一定的情况下，z越大则I越小，阻抗对电流有限制的作用。 [2]
在电流中，物体对电流阻碍的作用叫做电阻。除了超导体外，世界上所有的物质都有电阻，只是电阻值的大小差异而已。电阻很小的物质称作良导体，如金属等；电阻极大的物质称作绝缘体，如木头和塑料等。还有一种介于两者之间的导体叫做半导体，而超导体则是一种电阻值等于零的物质，不过它要求在足够低的温度和足够弱的磁场下，其电阻率才为零。
转移电阻怎么算？
针尖与半导体接触，通电时针尖周围形成球形电场，通过测量电流，电压计算出电阻Rv／I―P／4a，式中，R便是扩展电阻。
测出扩展电阻就可得到该样品的电阻率，其换算需要考虑很多因素，如形状，压力大小，厚度等。
六边形电阻计算？
电阻是一种描述半导体导电性能的方法。设一块长度、宽度和厚度分别为L、W、d，电阻率为ρ的半导体薄片，电阻的计算式为Rρ(L/dW)(ρ/d)(L/W)，可以理解为，薄片的电阻正比于长度比宽度，比例系数为ρ/d。这个比例系数就是方块电阻，用Rs表示，Rsρ/d.利用方块电阻式，电阻计算式可以写成RRs(L/W)，当LW时，RRs，也就是说，方块电阻实际上表示的是一个正方形薄层边到边的电阻，而且它与正方形的边长无关，只与材料和厚度有关。
半导体的电阻率范围是多少？
半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间：室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的）。
基本信息
晶向
电阻率与晶向有关。
对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。
特别的，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。
载流子
电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ1/ nqμ。
对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。
温度
决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。
在低温下
由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。
在室温下
由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。
在高温下
这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。
本征激发温度
半导体开始本征激发起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度（因为在该温度下，pn结即不再存在）；该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，因为多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作温度也就越高。所以，若要求半导体器件的温度稳定性越高，其掺杂浓度就应该越大